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特色
高性能電子光學(xué)系統(tǒng)
● 二次電子分辨率: 頂位二次電子探測(cè)器(2.0 nm at 1kV)＊
● 高靈敏度: 高效PD-BSD, 超強(qiáng)的低加速電壓性能，低至100 V成像
● 大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析
性能優(yōu)異
● 壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配備高靈敏度低真空探測(cè)器(UVD)＊
● 開(kāi)倉(cāng)室快速簡(jiǎn)單換樣(最大樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
● 微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等
*： 選配附件
規(guī)格
項(xiàng)目 內(nèi)容 分辨率 1.2 nm @ 30 kV
3.0 nm @ 1 kV
2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1
3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2放大倍率 10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)
30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)電子光學(xué)系統(tǒng) 電子槍 ZrO /W 肖特基式電子槍 加速電壓 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進(jìn)) 著陸電壓 減速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1 最大束流 > 200 nA 探測(cè)器 低位二次電子探測(cè)器 低真空模式*2 真空范圍: 10 - 300 Pa 馬達(dá)臺(tái) 馬達(dá)臺(tái)控制 5 - 軸自動(dòng) (優(yōu)中心) 可動(dòng)范圍 X：0～100mm
Y：0～50mm
Z：3～65mm
T：-20～90°
R：360°最大樣品尺寸 最大直徑: 200 mm
最大高度: 80 mm選配探測(cè)器 - ○ 高分辨率頂位二次電子探測(cè)器＊1
- ○ 高靈敏度低真空探測(cè)器 (UVD)
- ○ 5分割半導(dǎo)體探測(cè)器 (PD-BSD)*3
- ○ 能譜儀 (EDS)
- ○ 波譜儀 (WDS)
- ○ 背散射電子衍射探測(cè)器 (EBSD)
*1： 減速功能（包含高分辨率頂位二次電子探測(cè)器）
*2： 低真空功能（包含5分割半導(dǎo)體探測(cè)器）
*3： 空壓機(jī)(本地采購(gòu))
應(yīng)用案例
樣品: 氧化鋅粉末
著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,000x
低電壓下頂位二次電子探測(cè)器成像
樣品: PTFE
加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13,000x
UVD探測(cè)器可在低加速電壓(3 kV)和低真空
(40 Pa) 下獲得高質(zhì)量圖像
